功率半导体
SiC、GaN、IGBT和功率二极管的参数漂移、偏置效应和联合应力问题。
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器件分类
先选择最接近的器件类别,再由测试方案人员确认参数、功能、偏置和交付内容。
SiC、GaN、IGBT和功率二极管的参数漂移、偏置效应和联合应力问题。
查看详情FPGA、ASIC、SoC的功能、接口、时序、配置和系统状态评价。
查看详情数据保持、错误行为、暗电流、噪声、输出稳定性和保护功能。
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同一器件类型也可能因工艺、封装、应用和工作状态不同而需要不同测试矩阵。
明确氧化层、模拟前端、存储单元、配置逻辑、电源管理或成像链路等潜在敏感点。
把电参数、功能状态、错误计数、图像质量或系统输出与剂量节点关联。
根据应用工作状态设置偏置组、对照组、批次和必要的重复样本。
在测试前明确通过、退化、失效、复测和后续联合验证的判断逻辑。
预约测试
提供非敏感的器件类别、测试目的、目标剂量、偏置需求和计划时间,我们将安排对应专业人员进行初步评估。